ASML宣布与三星、台积电推进High NA EUV量产合作，三星确认2028年导入

ASML今日宣布与三星电子、台积电等先进制程企业合作，推动High NA EUV光刻从6英寸掩膜过渡到12英寸；三星确认2028年将High NA EUV用于DRAM量产，台积电计划2031年导入先进逻辑。